Следите за нами в социальных сетях:

Единая отраслевая платформа по электронике, микроэлектронике и новым технологиям
我们在俄罗斯为中国公司做广告
Новости электроники и микроэлектроники
Приглашаем подписаться на наш telegram-канал https://t.me/IndustryHunter, где мы публикуем новости, перепосты важных сообщений от ассоциаций и наших информационных партнеров, анонсы ближайших событий и многое другое

Графеновая революция в мире памяти: созданная в Китае память PoX оказалась супербыстрой, а данные в ней сохраняются и после отключения питания

| 430

Исследователи из Фуданьского университета в Китае создали прототип сверхбыстрой флеш-памяти PoX, которая способна записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Они использовали графеновый канал с двухмерной структурой Дирака, а для оптимизации процесса записи ученые применили алгоритмы искусственного интеллекта.

PoX значительно превосходит по скорости существующие типы памяти, включая DRAM и SRAM, которые записывают данные за 1-10 наносекунд (наносекунда в тысячу раз больше пикосекунды). Кроме того, PoX, подобно флеш-памяти, сохраняет информацию даже при отключении питания, что делает ее энергоэффективной.

Технология поможет создавать высокоскоростные системы хранения данных, особенно для устройств с искусственным интеллектом, которые требуют быстрой и энергонезависимой памяти. PoX может стать основой для следующего поколения устройств хранения информации.

 

 

Источник: https://www.ixbt.com/news/2025/04/17/grafenovaja-revoljucija-v-mire-pamjati-sozdannaja-v-kitae-pamjat-pox-okazalas-superbystroj-a-dannye-v-nej.html

Изображение сгенерировано Grok

 

Подписаться на рассылку

Вернуться к ленте новостей